一種無機(jī)物基底表面改性的方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201911125082.1 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN110724908A | 公開(公告)日 | 2020-01-24 |
| 申請公布號 | CN110724908A | 申請公布日 | 2020-01-24 |
| 分類號 | C23C14/12;C23C14/02;C23C14/24 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 孟尚君;芮祥新;李建恒 | 申請(專利權(quán))人 | 合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 寧波鄞州中致力專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道106號明珠產(chǎn)業(yè)園3號樓5層E區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供一種無機(jī)物基底表面改性的方法,包括依次進(jìn)行的清洗過程和鍍膜過程;所述清洗過程包括采用腔體內(nèi)等離子體清除無機(jī)物基底表面粘附的有機(jī)物和/或無機(jī)物并激活表面,所述鍍膜過程包括采用分子層沉積方式沉積單層改性有機(jī)物分子以實現(xiàn)無機(jī)物基底表面改性。本發(fā)明以氣相表面清理和有機(jī)薄膜沉積的方法取代原有的浸泡法,有利于達(dá)到安全、高效并合理降低排放、減小對環(huán)境傷害的目標(biāo)。 |





