一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器及其加工工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010161084.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111341852A 公開（公告）日 2020-06-26
申請公布號 CN111341852A 申請公布日 2020-06-26
分類號 H01L29/872(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪良恩;焦世龍 申請（專利權(quán)）人 安徽安芯電子科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 安徽安芯電子科技股份有限公司
地址 247100安徽省池州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)富安電子信息產(chǎn)業(yè)園10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器及其加工工藝，屬于肖特基器件技術(shù)領(lǐng)域。取一覆蓋二氧化硅或氮化硅介質(zhì)作為掩膜的芯片，采用干法刻蝕溝槽，淀積二氧化硅，再填充多晶，采用研磨及干法刻蝕將溝槽內(nèi)多晶刻蝕掉1/3～1/2，再濕法刻蝕溝槽側(cè)壁二氧化硅至高于溝槽內(nèi)剩余多晶表面0.1～0.3μm，溝槽上部較薄層二氧化硅淀積或熱氧化形成屏蔽氧化物，再淀積多晶并回刻至溝槽側(cè)壁平臺高度，最后淀積勢壘金屬并退火，淀積傳導(dǎo)金屬，得到具有屏蔽氧化物的溝槽型肖特基整流器，本發(fā)明用于調(diào)整反向偏置下溝槽底部拐角附近電場分布以及減小臺面勢壘金屬?半導(dǎo)體界面附近電場強度，可以進一步改善傳統(tǒng)溝槽肖特基器件性能。??