半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110048589.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113161225A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161225A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉仁鎖;特洛伊·喬納森·貝克 申請（專利權(quán)）人 鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 史治法
地址 200135 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)新城路2號23幢N1128室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法，包括：提供襯底；于襯底上形成二氧化硅層；于二氧化硅層的上表面形成圖形化掩膜層，圖形化掩膜層內(nèi)具有若干個開口；于氫氣及氨氣的混合氣氛下對所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理，以于開口的底部形成氮化硅層；于開口內(nèi)及圖形化掩膜層的上表面形成第一氮化鎵層。上述實施例中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法中，通過先在襯底上形成二氧化硅層，并進(jìn)行熱處理于圖形化掩膜層中的開口暴露出的二氧化硅層的上表面形成氮化硅層，在形成第一氮化鎵層時先于開口底部成核，氮化硅層的存在減少了晶格失配和熱適配，可以提供氮化鎵晶體的質(zhì)量；氮化硅層的表面一般比較粗糙，更有利于第一氮化鎵層成核。