氮化鎵層及其同質外延生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110048565.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112820633A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112820633A 申請公布日 2021-05-18
分類號 H01L21/02;H01L29/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅曉菊;王穎慧;特洛伊·喬納森·貝克 申請（專利權）人 鎵特半導體科技（上海）有限公司
代理機構 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 史治法
地址 200135 上海市浦東新區(qū)自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)新城路2號23幢N1128室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請具體涉及一種氮化鎵層及其同質外延生長方法，包括：提供氮化鎵襯底，氮化鎵襯底的晶面為C晶面，或氮化鎵襯底的晶面為與C晶面呈偏角α的晶面；對氮化鎵襯底的邊緣進行處理，以使得氮化鎵襯底的邊緣暴露出（1?101）面；于氮化鎵襯底的表面進行同質外延，以得到同質外延生長的氮化鎵層。上述實施例中的氮化鎵層的同質外延生長方法可以避免翼晶的形成，進而避免由于氮化鎵襯底邊緣外延生長的氮化鎵層與氮化鎵襯底表面外延生長的氮化鎵層之間存在較大的應力及彈性變形而形成的微裂片、破片及凹坑，降低了外延生長的氮化鎵層中的位錯密度，提高了外延生長的氮化鎵層的質量。