一種硅片鍍鎳銀的工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710615643.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109306481B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN109306481B 申請公布日 2021-08-10
分類號 C23C18/34;C23C18/42;C23C18/18 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 梁效峰;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛(wèi);王鵬;楊玉聰;韓義勝;王浩;尚杰;丁成 申請（專利權）人 TCL環(huán)鑫半導體（天津）有限公司
代理機構 天津諾德知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 300380 天津市西青區(qū)華苑產業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號A座二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種硅片鍍鎳銀的工藝，包括預處理：硅片表面清洗，硅片表面原子活化；一次鍍鎳：在硅片表面鍍一次鎳；鎳燒結：鎳層與硅層相互結合；二次鍍鎳：在硅片表面鍍二次鎳；鍍銀；在硅片表面鍍銀。本發(fā)明的有益效果是二次鍍鎳可以有效地增加鎳層與硅層的結合力，鍍銀有效的防止鎳層氧化，鍍鎳銀可以使硅片與焊膏結合力更強，采用硝酸銀為鍍銀液，在生產、運輸和儲存過程中更加安全可靠，節(jié)約了生產成本，鍍鎳銀工藝具有生產成本低，可靠性強，硅片的使用壽命長的優(yōu)點。