一種提高Au-Al鍵合強(qiáng)度和可靠性的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110555962.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113299571A | 公開（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113299571A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/60（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張新宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無錫興華衡輝科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹慧萍 |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江南路35-322號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高Au?Al鍵合強(qiáng)度和可靠性的方法。本發(fā)明通過在Al表面使用離子濺射的方法依次沉積一層Zn和一層Cu，使得鍵合過程中Au和Al之間形成一層Cu?Al?Zn三元化合物薄層，阻止金與鋁之間的直接接觸和相互擴(kuò)散，同時(shí)Cu?Al?Zn三元化合物薄層能夠繼續(xù)阻礙在電流作用下Au和Al之間的相互擴(kuò)散，從而抑制鍵合連接部位的金屬間化合物的生長(zhǎng)，提高Au?Al鍵合的強(qiáng)度和可靠性，能夠有效解決傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件Au?Al鍵合方法中存在的無法有效抑制金屬間化合物生長(zhǎng)，導(dǎo)致Au?Al鍵合強(qiáng)度和鍵合可靠性較差，進(jìn)而影響半導(dǎo)體器件的功能和壽命的問題。 |
