一種可變性能參數(shù)的ESD封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202210029426.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN114050149A | 公開(公告)日 | 2022-02-15 |
| 申請公布號 | CN114050149A | 申請公布日 | 2022-02-15 |
| 分類號 | H01L23/538(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 邵冬冬 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳中科四合科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳倚智知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 霍如肖 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍華區(qū)觀瀾街道庫坑社區(qū)庫坑觀光路1310號廠房2棟501 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種可變性能參數(shù)的ESD器件封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,封裝結(jié)構(gòu)包括:封裝體、分離設(shè)置于封裝體底部且底面與封裝體底面水平的第一焊盤和第二焊盤、以及埋入封裝體內(nèi)貼裝于第一焊盤上表面的ESD芯片,ESD芯片上表面的封裝體內(nèi)設(shè)置第一導(dǎo)通孔、第二焊盤上表面的封裝體內(nèi)設(shè)置第二導(dǎo)通孔、第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔之間設(shè)置封裝體內(nèi)層互連通孔連接ESD芯片和第二焊盤,第一焊盤上表面可貼裝單顆或多顆ESD芯片,封裝體內(nèi)層互連線路由導(dǎo)電金屬電鍍填充、其上設(shè)置若干個凹槽,通過實施本發(fā)明的技術(shù)方案,能提高ESD器件的耐流能力和響應(yīng)速度、靈活滿足不同性能參數(shù)需求、減少金屬材料在封裝體中的占比、較好的釋放應(yīng)力、以及降低封裝成本和難度。 |





