介質阻擋放電協同N型半導體催化劑深度氧化氣態(tài)污染物的工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110151571.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112915783A 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN112915783A 申請公布日 2021-06-08
分類號 B01D53/86;B01D53/56;B01D53/44 分類 一般的物理或化學的方法或裝置;
發(fā)明人 吳忠標;陳思;王海強;馮文驥;高珊;王岳軍;張仲飛 申請（專利權）人 浙江天藍環(huán)保技術股份有限公司
代理機構 杭州天勤知識產權代理有限公司 代理人 高佳逸;胡紅娟
地址 310013 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種介質阻擋放電協同N型半導體催化劑深度氧化氣態(tài)污染物的工藝，包括：將含有氣態(tài)污染物的污染氣體通過裝有N型半導體催化劑的介質阻擋低溫等離子體反應器，N型半導體催化劑置于介質阻擋低溫等離子體反應器的放電區(qū)域內，低溫等離子體放電產生高能電子和活性自由基，等離子體放電過程產生的多余高能電子與N型半導體催化劑中的電子進行碰撞，形成軌道電子的躍遷，產生“類光催化”行為，繼而形成電子和空穴并進一步生成其他強氧化性物種，氣態(tài)污染物在這些活性物種的共同作用下得到深度氧化，生成無害小分子或更有利于后續(xù)處理的高價態(tài)化合物。