鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠化料加熱方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110160794.4 申請日 -
公開（公告）號 CN102242390B 公開（公告）日 2013-09-25
申請公布號 CN102242390B 申請公布日 2013-09-25
分類號 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 石堅;熊濤濤 申請（專利權(quán)）人 安陽市鳳凰光伏科技有限公司
代理機構(gòu) 安陽市智浩專利代理事務(wù)所 代理人 王好勤
地址 456400 河南省安陽市滑縣產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)大三路南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠化料加熱方法，涉及硅錠化料加熱方法，鑄錠爐從室溫開始升溫至預(yù)定的最高溫度過程中，采用以下控制措施：a.在TC1≤1170攝氏度時，控制ΔT≤800攝氏度；b.在TC1達到＞1170攝氏度時，控制150攝氏度≤ΔT≤400攝氏度；c.當(dāng)TC1達到預(yù)定的最高溫度，進入抓晶種階段。本發(fā)明的有益效果在于：通過本方法的運用，在加溫過程中，控制溫度梯度在陶瓷的材料所能承受的范圍內(nèi)，使晶種固化在爐底，不熔化或漂浮，坩堝不會因為承受過大熱應(yīng)力而開裂。確保生產(chǎn)安全，并可提高生產(chǎn)效益。