一種鑄造類單晶用籽晶的重復(fù)利用方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010357713.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113564689A 公開（公告）日 2021-10-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN113564689A 申請(qǐng)公布日 2021-10-29
分類號(hào) C30B11/00（2006.01）I;C30B11/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 何亮;何新根;雷琦;毛偉;徐云飛;周成;羅鴻志;程小娟;鄒貴付;甘勝泉;陳仙輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 熊永強(qiáng)
地址 338000江西省新余市高新經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)賽維工業(yè)園專利辦公室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種鑄造類單晶用籽晶的重復(fù)利用方法，包括：（1）將類單晶硅錠的開方尺寸相同的單晶硅籽晶拼接鋪設(shè)在坩堝底部，形成籽晶層；并利用該籽晶層制得類單晶硅錠；（2）將類單晶硅錠的底面朝上，將底面上的籽晶拼接縫用縫隙標(biāo)記線標(biāo)出，并使其延伸至類單晶硅錠的四個(gè)側(cè)面；對(duì)類單晶硅錠開方得到多個(gè)第一硅塊，且在開方前使開方鋼線與籽晶拼接縫對(duì)齊，將第一硅塊對(duì)應(yīng)坩堝底部和開口的兩個(gè)端面打磨平整后，再切割掉其上的籽晶區(qū)域，得到回收后的多塊單晶硅籽晶，并標(biāo)記每塊的類型；（3）將步驟（2）得到的籽晶按步驟（1）的方法進(jìn)行再利用。該方法可實(shí)現(xiàn)籽晶的多次高質(zhì)量重復(fù)利用，降低了鑄造類單晶的籽晶成本。