高性能圖像傳感器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110389664.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113113438A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113113438A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/146（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王箐;曠章曲;陳多金;孫偉;田曉川;龔雨琛;伍建華;劉志碧;陳杰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京凱特來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇 |
| 地址 | 201210上海市浦東新區(qū)上科路88號(hào)豪威科技園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種高性能圖像傳感器及其制備方法，像素結(jié)構(gòu)使用溝槽式通孔連接上、下兩層金屬，該溝槽式通孔與上層金屬形成與像素大小相同的網(wǎng)格，作為金屬遮蔽結(jié)構(gòu)。在下層金屬制程之后，沉積一層SiN襯底，作為像素區(qū)的溝槽式通孔和邏輯區(qū)的金屬孔的終止層；在孔刻蝕制程過(guò)程最后增加一步對(duì)SiN具有高選擇比的蝕刻工藝，使溝槽式通孔和金屬孔既與下層金屬鏈接，又停留在介質(zhì)氧化層上，形成金屬遮蔽；之后，在溝槽式通孔上濺射上層金屬，并通過(guò)光刻形成相同寬度的金屬遮蔽結(jié)構(gòu)。可以減小在進(jìn)行光通道蝕刻過(guò)程中等離子體對(duì)硅表面的損傷，減小暗電流和噪聲。同時(shí)，金屬遮蔽結(jié)構(gòu)可以將斜入射光折射到像素單元表面，減小串?dāng)_。 |
