薄膜太陽(yáng)能電池大規(guī)模生產(chǎn)的制造裝置與方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200910126433.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN101521249B | 公開(kāi)(公告)日 | 2012-05-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN101521249B | 申請(qǐng)公布日 | 2012-05-23 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;B22F3/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | D·R·霍拉斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 金江水力發(fā)電集團(tuán)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 米亞索爾公司;米亞索樂(lè)裝備集成(福建)有限公司 |
| 地址 | 美國(guó)加利福尼亞州 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種完全通過(guò)濺射包括高效率背接觸/反射多層的制造改進(jìn)的薄膜太陽(yáng)能電池的方法,該背接觸/反射多層包含由過(guò)渡金屬氮化物組成的至少一個(gè)阻擋層。使用雙圓柱體旋轉(zhuǎn)磁控管技術(shù),從特別準(zhǔn)備的電傳導(dǎo)靶共濺射二硒化銅銦鎵(Cu(InxGal-X)Se2)吸收體層(X的范圍從1至約0.1)。通過(guò)改變鎵的含量,可以分級(jí)吸收體層的帶隙。在硒化氫氣體中,從金屬合金靶反應(yīng)濺射交替的吸收體層。RF濺射用于沉積不包含鎘的ZnS窗口層。反應(yīng)濺射頂部透明電極ZnO摻雜鋁。描述了專用模塊真空卷裝濺射機(jī)器。該機(jī)器適于與雙圓柱體旋轉(zhuǎn)磁控管一體化,在單一途徑中以制造改進(jìn)的太陽(yáng)能電池材料。 |





