紅外圖像傳感器及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210521002.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102983145B 公開(kāi)（公告）日 2015-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN102983145B 申請(qǐng)公布日 2015-07-08
分類號(hào) H01L27/146(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛劍宏;唐德明;張鐳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安極視光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;西安極視光電科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號(hào)5號(hào)樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種紅外圖像傳感器及其形成方法，包括：提供具有CMOS控制電路的襯底；在襯底上方形成像素結(jié)構(gòu)、像素結(jié)構(gòu)和控制電路電連接的插栓；像素結(jié)構(gòu)和所述襯底之間還形成有第一犧牲層；還包括：形成具有第一開(kāi)口的第二犧牲層，覆蓋像素結(jié)構(gòu)，第一開(kāi)口位于插栓上方；在第二犧牲層上、第一開(kāi)口的側(cè)壁和底部形成支撐層；在支撐層中形成第二開(kāi)口，通過(guò)第二開(kāi)口去除第一犧牲層、第二犧牲層；去除第一犧牲層、第二犧牲層后，形成封蓋層，覆蓋支撐層、填滿第一開(kāi)口、第二開(kāi)口，封蓋層為對(duì)紅外線的透射層；在封蓋層和支撐層中形成第三開(kāi)口，利用物理氣相沉積工藝在第三開(kāi)口中形成密封層，密封第三開(kāi)口。本技術(shù)方案中的封蓋工藝與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝兼容。