一種半導體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510999747.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105895667A 公開（公告）日 2016-08-24
申請公布號 CN105895667A 申請公布日 2016-08-24
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉飛航 申請（專利權(quán)）人 昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 蘇州能訊高能半導體有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種半導體器件及其制造方法，該半導體器件包括：半導體基底；位于半導體基底上的有源區(qū)，有源區(qū)具有柵極、源極和漏極；位于半導體基底上的閉合金屬環(huán)狀結(jié)構(gòu)，用于包圍有源區(qū)并通過接收電壓以形成耗盡隔離層。本發(fā)明中耗盡隔離層通過電場耗盡形成，因此不存在現(xiàn)有隔離工藝帶來的缺陷；可通過調(diào)節(jié)施加在閉合金屬環(huán)狀結(jié)構(gòu)上的電壓以形成不同深度的耗盡隔離層，因此隔離深度可控、隔離效果好；閉合金屬環(huán)狀結(jié)構(gòu)的厚度較薄，不會造成明顯的平坦化問題，且其可靠性高、制造工藝簡單、不需要精確控制、成本也較低。