高電子遷移率晶體管器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610632720.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106298882A 公開（公告）日 2017-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN106298882A 申請(qǐng)公布日 2017-01-04
分類號(hào) H01L29/40(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹成功;裴軼 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 昆山工研院第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李進(jìn)
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高電子遷移率晶體管器件，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該器件的第一介質(zhì)層位于柵極與源極、漏極之間的半導(dǎo)體層上，第一源場(chǎng)板位于柵極與漏極之間的第一介質(zhì)層上，第二介質(zhì)層位于柵極、第一源場(chǎng)板和第一介質(zhì)層上，第二源場(chǎng)板位于柵極、第一源場(chǎng)板上的第二介質(zhì)層上，第一源場(chǎng)板和第二源場(chǎng)板削弱柵極與漏極之間靠近柵極的區(qū)域強(qiáng)電場(chǎng)，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層在長(zhǎng)時(shí)間應(yīng)力、高電壓應(yīng)力下不易發(fā)生介質(zhì)層失效。該器件既能削弱柵極與漏極之間靠近柵極區(qū)域存在的強(qiáng)電場(chǎng)，又能減少柵極和源場(chǎng)板之間的介質(zhì)層發(fā)生失效的幾率。本發(fā)明還提供一種高電子遷移率晶體管器件的制造方法，工藝流程簡(jiǎn)單，制得的器件可靠性高。