高電子遷移率晶體管器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610632720.9 申請日 -
公開（公告）號 CN106298882B 公開（公告）日 2019-10-08
申請公布號 CN106298882B 申請公布日 2019-10-08
分類號 H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹成功;裴軼 申請（專利權）人 昆山工研院第三代半導體研究院有限公司
代理機構 北京超凡志成知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 蘇州能訊高能半導體有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高電子遷移率晶體管器件，涉及半導體技術領域，該器件的第一介質層位于柵極與源極、漏極之間的半導體層上，第一源場板位于柵極與漏極之間的第一介質層上，第二介質層位于柵極、第一源場板和第一介質層上，第二源場板位于柵極、第一源場板上的第二介質層上，第一源場板和第二源場板削弱柵極與漏極之間靠近柵極的區(qū)域強電場，第一介質層和第二介質層在長時間應力、高電壓應力下不易發(fā)生介質層失效。該器件既能削弱柵極與漏極之間靠近柵極區(qū)域存在的強電場，又能減少柵極和源場板之間的介質層發(fā)生失效的幾率。本發(fā)明還提供一種高電子遷移率晶體管器件的制造方法，工藝流程簡單，制得的器件可靠性高。