一種用于CVD反應(yīng)器的噴嘴裝置及CVD反應(yīng)器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120890855.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN215757598U 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號(hào) CN215757598U 申請公布日 2022-02-08
分類號(hào) C23C16/455（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 于偉華;朱建中;鞠德勝;萬榮群 申請（專利權(quán)）人 無錫海飛凌半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 李瑩
地址 214000江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)杏里路10號(hào)宜興光電產(chǎn)業(yè)園1幢201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種用于CVD反應(yīng)器的噴嘴裝置及CVD反應(yīng)器，涉及CVD反應(yīng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該噴嘴裝置包括第一噴嘴以及第二噴嘴；第一噴嘴的底部設(shè)有第一空腔，第一噴嘴的頂部設(shè)有多個(gè)連通第一空腔的氣體流出通道；第二噴嘴的頂部設(shè)有第二空腔，第二噴嘴的底部設(shè)有多個(gè)連通第二空腔的氣體流入通道；第一噴嘴的底部與第二噴嘴的頂部可拆卸連接，且在第一噴嘴的底部與第二噴嘴的頂部連接后，第一空腔與第二空腔合并為氣體混合室。本實(shí)用新型一方面，可確保反應(yīng)氣體能夠在氣體混合室內(nèi)混合均勻，另一方面可確保混合氣體能夠均勻排出。同時(shí)，原料氣體在進(jìn)入到氣體混合室之前還未接觸，不會(huì)發(fā)生反應(yīng)，可有效避免氣體流入通道的堵塞。