基于N型硅片的黃銅礦類半導體薄膜異質(zhì)結(jié)太陽電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910183865.5 申請日 -
公開（公告）號 CN101621084B 公開（公告）日 2011-02-16
申請公布號 CN101621084B 申請公布日 2011-02-16
分類號 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳堅;王栩生;章靈軍 申請（專利權(quán)）人 阿特斯新能源控股有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;常熟阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯光伏電力(洛陽)有限公司;阿特斯光伏電子(常熟)有限公司;阿特斯太陽能光電(蘇州)有限公司;阿特斯光伏科技(蘇州)有限公司;常熟阿特斯太陽能電力有限公司;阿特斯光伏電力（洛陽）有限公司;阿特斯光伏電子（常熟）有限公司;阿特斯太陽能光電（蘇州）有限公司;阿特斯光伏科技（蘇州）有限公司
地址 215129 江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)鹿山路199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于N型硅片的黃銅礦類半導體薄膜異質(zhì)結(jié)太陽電池，包括依次疊層結(jié)合的受光面電極、透明導電層、P型黃銅礦半導體薄膜、N型晶體硅、N+背表面場和背金屬電極，形成PNN+的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的太陽電池具有更好的光譜響應，尤其是在紫外和可見光波段，從而可以提升短路電流；且在正面可形成梯度帶隙，類似于多結(jié)的堆疊效應，大幅度地提升開路電壓和填充因子；最終得到的太陽電池的轉(zhuǎn)化效率在22％以上。