一種在橫向超導(dǎo)磁場中應(yīng)用的熱場及長晶方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011473237.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112626621A 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112626621A 申請公布日 2021-04-09
分類號 C30B30/04;C30B15/14;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳春生;張熠;穆童;鄭鍇 申請（專利權(quán)）人 南京晶能半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 210046 江蘇省南京市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)興智路6號興智科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種在橫向超導(dǎo)磁場中應(yīng)用的熱場及長晶方法。該熱場包括主加熱器、位于主加熱器下方的底加熱器、隔熱層；其中主加熱器與底加熱器通過開槽長度的變化調(diào)整不同部位的發(fā)熱量，從而通過調(diào)整橫向磁場內(nèi)不抑制流動方向的加熱器和隔熱層結(jié)構(gòu)，達到降低溫度梯度的效果，能夠減弱橫向磁場的軸向不對稱性，提高晶體質(zhì)量。