LCOS芯片像素器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810053147.1 申請日 -
公開（公告）號 CN100593751C 公開（公告）日 2010-03-10
申請公布號 CN100593751C 申請公布日 2010-03-10
分類號 G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 分類 光學;
發(fā)明人 范義;代永平;范偉 申請（專利權(quán)）人 天津力偉創(chuàng)科技有限公司
代理機構(gòu) 天津市杰盈專利代理有限公司 代理人 天津力偉創(chuàng)科技有限公司;深圳市長江力偉股份有限公司
地址 300384天津市華苑產(chǎn)業(yè)園區(qū)華天道2號火炬大廈5031室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 LCOS芯片像素器件結(jié)構(gòu)，在一塊P型硅襯底上分別按照行與列平行排布若干個像素單元，每行或每列的像素單元包括一由p+-i-P電容器的上極板、薄膜絕緣層、p+-i-P電容器的下極板共同構(gòu)成的p+-i-P電容器和一NMOS管，所述NMOS管中的NMOS管的漏極與p+-i-P電容器的上極板相連接，每行像素單元中NMOS管的柵極分別向兩邊延伸直至與左、右兩個相鄰像素單元中的NMOS管的柵極相連形成一條掃描線，且每行像素單元中的掃描線由一條矩形N型摻雜多晶硅構(gòu)成；每列像素單元中設(shè)置一條信號線，且每列像素單元中NMOS管的源極連接到信號線，并包括所述信號線垂直于所述掃描線。