LCOS芯片像素器件結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200810053147.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN101281333A | 公開(kāi)（公告）日 | 2008-10-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN101281333A | 申請(qǐng)公布日 | 2008-10-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | G02F1/1362(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 分類(lèi) | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 范義;代永平;范偉 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 天津力偉創(chuàng)科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津市杰盈專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人 | 天津力偉創(chuàng)科技有限公司;深圳市長(zhǎng)江力偉股份有限公司 |
| 地址 | 300384天津市華苑產(chǎn)業(yè)園區(qū)華天道2號(hào)火炬大廈5031室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | LCOS芯片像素器件結(jié)構(gòu)，在一塊P型硅襯底上分別按照行與列平行排布若干個(gè)像素單元，每行或每列的像素單元包括一由p+－i－P電容器的上極板、薄膜絕緣層、p+－i－P電容器的下極板共同構(gòu)成的p+－i－P電容器和一NMOS管，所述NMOS管中的NMOS管的漏極與p+－i－P電容器的上極板相連接，每行像素單元中NMOS管的柵極分別向兩邊延伸直至與左、右兩個(gè)相鄰像素單元中的NMOS管的柵極相連形成一條掃描線，且每行像素單元中的掃描線由一條矩形N型摻雜多晶硅構(gòu)成；每列像素單元中設(shè)置一條信號(hào)線，且每列像素單元中NMOS管的源極連接到信號(hào)線，并包括所述信號(hào)線垂直于所述掃描線。 |
