一種半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210659128.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114744024A 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN114744024A 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳俊峰 申請（專利權）人 深圳市時代速信科技有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)廣蘭道6號順倉物流中心三層（深裝總大廈A座3樓318-320）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術領域，方法通過去除漏極金屬和背面金屬之間的襯底，并在去除襯底的區(qū)域填充具有較低介電常數(shù)的第一介質層，從而有效降低漏極金屬和背面金屬之間所產(chǎn)生的源漏寄生電容Cds。同時，本申請通過將形成具有較低介電常數(shù)的第一介質層的工藝與原本形成源極通孔的工藝進行融合，有效簡化工藝步驟，并且在半導體器件為GaN器件時，鑒于GaN器件的特性，通常襯底的厚度較厚，因此，在第一介質層設置于襯底上時，能夠在漏極金屬和背面金屬之間填充更多的低介電常數(shù)的材料，有助于更好的降低漏極金屬和背面金屬之間所產(chǎn)生的源漏寄生電容Cds。