一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110718604.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113436974A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113436974A 申請(qǐng)公布日 2021-09-24
分類號(hào) H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊天應(yīng);劉麗娟;劉石頭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市時(shí)代速信科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 崔熠
地址 518000廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201室（入駐前海商務(wù)秘書(shū)有限公司）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，方法包括：去除漂移層上的導(dǎo)電溝道形成無(wú)源結(jié)構(gòu)；在無(wú)源結(jié)構(gòu)的漂移層上形成第一源極金屬和第一漏極金屬；第一柵極金屬位于第一源極金屬和第一漏極金屬之間；在第一柵極金屬上形成第二鈍化層；在第二鈍化層上形成源場(chǎng)板，由于第一開(kāi)路測(cè)試結(jié)構(gòu)與實(shí)際器件結(jié)構(gòu)高度相似，其區(qū)別僅在于通過(guò)微電子或半導(dǎo)體制備工藝將導(dǎo)電溝道去除，使得第一開(kāi)路測(cè)試結(jié)構(gòu)形成無(wú)柵控功能的無(wú)源測(cè)試結(jié)構(gòu)，如此，在配合現(xiàn)有開(kāi)路去嵌入結(jié)構(gòu)時(shí)，能夠完全去除Cpg和Cpd，包括Cpg1、Cpg2、Cpg3以及Cpd1和Cpd2，因此，能夠有效提高模型精度，避免后期需要花費(fèi)大量時(shí)間對(duì)參數(shù)進(jìn)行擬合。