一種半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210659098.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114759080A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114759080A 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳俊峰 申請（專利權(quán)）人 深圳市時代速信科技有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)廣蘭道6號順倉物流中心三層（深裝總大廈A座3樓318-320）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，柵極金屬與第一P型輕摻雜層形成肖特基接觸，由于第一P型輕摻雜層的摻雜濃度較低，可以提高柵極正向耐壓的同時降低柵極漏電流。并且借助P型重摻雜層的較高摻雜濃度對能帶進行調(diào)整降低柵極下方溝道處的二維電子氣濃度，擴大柵下的耗盡區(qū)，從而緩解柵下的電場峰值，提高器件的耐壓。通過第一P型輕摻雜層的延伸部至少覆蓋P型重摻雜層的側(cè)面，可以借助延伸部對柵極側(cè)面的電場進行有效調(diào)制，從而降低柵極側(cè)面的電場強度或電場峰值，有助于提高器件的耐壓。