一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210287351.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN114664935A 公開(kāi)(公告)日 2022-06-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN114664935A 申請(qǐng)公布日 2022-06-24
分類號(hào) H01L29/417(2006.01)I;H01L27/085(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田宇;許建華 申請(qǐng)(專利權(quán))人 深圳市時(shí)代速信科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)廣蘭道6號(hào)順倉(cāng)物流中心三層(深裝總大廈A座3樓318-320)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制備方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,包括:襯底以及位于襯底上的功能層,在功能層頂面設(shè)置有源極結(jié)構(gòu)、漏極結(jié)構(gòu)和魚骨柵結(jié)構(gòu),源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)用于配合魚骨柵結(jié)構(gòu)形成多個(gè)晶體管器件;在襯底底面開(kāi)設(shè)有從襯底底面貫穿至功能層頂面的源孔;源極結(jié)構(gòu)包括第一子電極和覆蓋源孔位于功能層頂面開(kāi)孔的第二子電極,第一子電極通過(guò)連接橋與第二子電極電性連接。如此,通過(guò)取消第一子電極上的源孔,使得第一子電極的寬度可以進(jìn)行減小,從而減少整個(gè)源極結(jié)構(gòu)的占用面積,使得整個(gè)器件能夠有效降低面積和制造成本,而第一子電極的引出可以由連接橋連接至第二子電極,由第二子電極覆蓋的源孔對(duì)應(yīng)引出至襯底底面。