一種半導(dǎo)體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410799354.7 申請日 -
公開（公告）號 CN104599972B 公開（公告）日 2018-08-14
申請公布號 CN104599972B 申請公布日 2018-08-14
分類號 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊彥濤;趙金波;江宇雷;陳文偉;楊雪 申請（專利權(quán)）人 成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司
地址 610404 四川省成都市金堂縣成都—阿壩工業(yè)集中發(fā)展區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，在特定摻雜類型的半導(dǎo)體襯底上形成溝槽后，采用與半導(dǎo)體襯底的摻雜類型相反的液態(tài)摻雜源進(jìn)行擴(kuò)散，所述液態(tài)摻雜源覆蓋阻擋層表面，并在溝槽周圍的半導(dǎo)體襯底中形成與半導(dǎo)體襯底的摻雜類型相反的摻雜區(qū)，無需采用工藝復(fù)雜、技術(shù)難度較大的常規(guī)外延摻雜工藝，降低了工藝難度。另外，本發(fā)明在形成摻雜區(qū)后，采用填充性較佳的介質(zhì)材料進(jìn)行溝槽填充，有利于形成沒有縫隙或空洞的填充層，使溝槽內(nèi)部填充沒有缺陷，降低了對溝槽刻蝕工藝的要求，保證器件的高壓性能和可靠性要求。