恒流二極管結構及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610082313.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105609569B 公開（公告）日 2018-12-11
申請公布號 CN105609569B 申請公布日 2018-12-11
分類號 H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王英杰 申請（專利權）人 成都士蘭半導體制造有限公司
代理機構 上海思微知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 成都士蘭半導體制造有限公司
地址 610404 四川省成都市金堂縣成都-阿壩工業(yè)集中發(fā)展區(qū)內
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種恒流二極管結構及其形成方法，在P型襯底正面上形成P型外延層，在P型外延層中形成N型基區(qū)，在N型基區(qū)中形成P型柵極區(qū)、N型源區(qū)、N型漏區(qū)、P型發(fā)射區(qū)，并形成包圍N型基區(qū)的P型隔離。本發(fā)明通過在P型外延層中增設P型發(fā)射區(qū)，所述P型襯底、P型外延層、N型基區(qū)和P型發(fā)射區(qū)組成PNP三極管，所述N型源區(qū)、P型柵極區(qū)、N型基區(qū)、N型漏區(qū)組成恒流二極管，使得其單位面積電流大幅提高，器件的溫度穩(wěn)定性和均勻性較好。并且，所述恒流二極管結構增加了P型外延層，有利于提高其耐壓性能。