溝槽器件的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410628678.4 申請日 -
公開（公告）號 CN104409349B 公開（公告）日 2018-06-26
申請公布號 CN104409349B 申請公布日 2018-06-26
分類號 H01L21/336;H01L21/66;H01L21/306 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊彥濤;楊富寶;趙金波;王玨;湯光洪 申請（專利權(quán)）人 成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司
地址 610404 四川省成都市金堂縣成都—阿壩工業(yè)集中發(fā)展區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種溝槽器件的制作方法，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光直至外延層與阻止層的頂面齊平為止，然后測量半導(dǎo)體襯底上方的阻止層的實(shí)際厚度，并根據(jù)半導(dǎo)體襯底上方的阻止層的實(shí)際厚度刻蝕溝槽內(nèi)的外延層，直至使外延層與半導(dǎo)體襯底頂面齊平，該方法既可以去除高于半導(dǎo)體襯底頂面的外延層又不會損傷到零層光刻標(biāo)記，如此，即可保證不會影響光刻對位，又可避免外延層相對于半導(dǎo)體襯底存在凸起使后道的柵氧、多晶工藝等形成臺階，有利于提高器件的耐壓等性能。