一種恒流二極管結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610082486.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105551969B 公開（公告）日 2018-12-11
申請公布號 CN105551969B 申請公布日 2018-12-11
分類號 H01L21/337;H01L29/808 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王英杰 申請（專利權(quán)）人 成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司
地址 610404 四川省成都市金堂縣成都-阿壩工業(yè)集中發(fā)展區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種恒流二極管結(jié)構(gòu)及其形成方法，在N型外延層中增設(shè)P型發(fā)射區(qū)，N型源區(qū)、P型柵極區(qū)、N型外延層、N型漏區(qū)組成恒流二極管，P型襯底、N型外延層和P型發(fā)射區(qū)組成PNP三極管，由此，單位面積電流大幅提高，并且器件的溫度穩(wěn)定性和均勻性較好。