一種晶體生長用坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201521097632.0 申請日 -
公開（公告）號 CN205241850U 公開（公告）日 2016-05-18
申請公布號 CN205241850U 申請公布日 2016-05-18
分類號 C30B15/10(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李濤;柳井忠;黃小衛(wèi);柳祝平 申請（專利權）人 石河子市鑫磊光電科技有限公司
代理機構 北京中恒高博知識產權代理有限公司 代理人 劉洪京
地址 832000 新疆維吾爾自治區(qū)石河子市開發(fā)區(qū)東七路與北九路交匯口
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型所公開的晶體生長用坩堝，通過堝體與堝口環(huán)套結合，有效防止坩堝在不斷高溫熔煉過程中變形從而引起堝口出現裂紋或損壞了堝口溫度梯度導致晶體放肩時長角、提前粘堝的問題，提高了晶體質量。同時分離式堝口環(huán)套一旦發(fā)生變形，可獨立更換，能有效延長坩堝的使用壽命從而大大降低晶體單位生產成本；另外，堝體內壁與堝體外壁、堝底與堝壁形成的獨特的角度不僅有利于在結晶前得到均勻的溫度梯度和穩(wěn)定的生長速率，還能更輕松控制晶體不粘坩堝或減低等徑時晶體與坩堝粘附的面積，從而減少粘堝生長產生的應力過大和晶體寄生坩堝生長易產生位錯的品質現象，比傳統(tǒng)結構坩堝生長的晶體應力交錯少、品質更優(yōu)異。