改良電極及相關聯(lián)之裝置與方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | TW093117731 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | TW200509174 | 公開（公告）日 | 2005-03-01 |
| 申請公布號 | TW200509174 | 申請公布日 | 2005-03-01 |
| 分類號 | H01J29/04;H01J37/073 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高波;奧多Z 趙 | 申請（專利權）人 | 新科技股份有限公司 |
| 代理機構 | - | 代理人 | 新科技股份有限公司 |
| 地址 | 美國 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明揭示用于真空及氣體電子裝置中具有增強性能之電子場發(fā)射陰極與制造該些陰極之方法。本發(fā)明之陰極包含奈米材料，例如碳奈米管，以及金屬或含金屬化合物或合金。在氣體放電裝置中，本發(fā)明之場發(fā)射材料或陰極于室溫下運作并具有比傳統(tǒng)陰極低得多的崩潰電壓或陰極位降(例如，在電漿放電區(qū)域與該陰極之間的電壓下降)。本發(fā)明能夠開發(fā)具有大大增強的能量效率及操作壽命之氣體放電裝置。 |
