一種大功率半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110280013.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113140617A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113140617A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 田亮;施俊;劉昊;邱凱兵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 邵斌
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)誠(chéng)信大道19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域的一種大功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，降低了裂片過(guò)程中出現(xiàn)碎片的幾率，提高了產(chǎn)品的合格率和產(chǎn)量。包括：在芯片第一表面進(jìn)行各功能模塊的制作，然后在第一表面的劃片道處制作第一埋層；在芯片第二表面進(jìn)行各功能模塊的制作，然后在第二表面上制作與第一埋層相對(duì)的第二埋層；對(duì)芯片進(jìn)行裂片，使芯片沿第一埋層和第二埋層產(chǎn)生裂痕，進(jìn)而分割成若干個(gè)獨(dú)立的半導(dǎo)體器件。