一種具有DBR分層結(jié)構(gòu)的LED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020781423.2 申請日 -
公開（公告）號 CN211670204U 公開（公告）日 2020-10-13
申請公布號 CN211670204U 申請公布日 2020-10-13
分類號 H01L33/10(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 張亞 申請（專利權(quán)）人 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 330000江西省南昌市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)天祥北大道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種具有DBR分層結(jié)構(gòu)的LED芯片，包括P電極、PSS襯底、LED外延結(jié)構(gòu)、CBL電流阻擋層、TCL透明導(dǎo)電層、N型半導(dǎo)體臺面、N電極、DBR結(jié)構(gòu)；其中：PSS襯底上生長有LED外延結(jié)構(gòu)，LED外延結(jié)構(gòu)上沉積有CBL電流阻擋層，LED外延結(jié)構(gòu)上沉積TCL透明導(dǎo)電層，以MESA圖層為掩模對LED外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行等離子干法刻蝕（ICP），形成N型半導(dǎo)體臺面，在TCL透明導(dǎo)電層、N型半導(dǎo)體臺面上分別制作有P電極、N電極。本實用新型的優(yōu)點在于：通過對LED芯片的DBR結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，將DBR結(jié)構(gòu)分為接觸層和交替疊層，采用不同的方法制作，改善了DBR結(jié)構(gòu)接觸層的反透射率和臺階披覆性，降低了常規(guī)方法制作的DBR結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的LED芯片內(nèi)部應(yīng)力，從而提高了LED芯片的出光率和使用壽命。??