一種紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)層的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810765799.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110718610B 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN110718610B 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 武良文 申請（專利權(quán)）人 江西兆馳半導體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 330000江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)高新二路18號創(chuàng)業(yè)大廈503、515室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)層的制備方法。本發(fā)明包括通過濺射鍍膜的方式實現(xiàn)在藍寶石基板上依次生長出的AlN緩沖層、非摻雜AlN薄膜層、n型摻雜AlN層以及通過MOCVD方式生長的有源層，和通過濺射鍍膜的方式生長的p型摻雜AlN層。本發(fā)明的優(yōu)點：通過物理濺射的方式生長MOCVD不易生長的高質(zhì)量AlN材料并實現(xiàn)了n型Si摻雜和p型Mg摻雜，在此基礎(chǔ)上，MOCVD生長更高Al含量的AlGaN有源層更易實現(xiàn)，讓紫外發(fā)光二極管可以發(fā)出更短波長的紫外光，這些不僅簡化了紫外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計，降低了紫外發(fā)光二極管的制備難度，還因為不用制作會吸收紫外光的p型摻雜GaN歐姆接觸外延層而提高了紫外發(fā)光二極管的整體出光效率。