一種倒裝銀鏡LED芯片及芯片制作方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110567220.2 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113299810A | 公開(公告)日 | 2021-08-24 |
| 申請公布號 | CN113299810A | 申請公布日 | 2021-08-24 |
| 分類號 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫嘉玉 | 申請(專利權(quán))人 | 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 廣東深宏盾律師事務(wù)所 | 代理人 | 趙瓊花 |
| 地址 | 330096江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)天祥北大道1717號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種倒裝銀鏡LED芯片,包括從下至上的P電極層、P型氮化鎵層、發(fā)光層、N型氮化鎵層和藍寶石襯底層,所述N型氮化鎵層上還設(shè)置有N電極層,所述P型氮化鎵層設(shè)置有半圓型的光阻圖案。本發(fā)明提供的一種倒裝銀鏡LED芯片,采用光刻刻蝕技術(shù),在倒裝外延片的P型氮化鎵表面,制作規(guī)則陣列排布的圖案,光經(jīng)過這些圖案后,會減少全反射,提高光的提取率;利用P型氮化鎵表面圖案化處理,增加Ag反射面積,提高LED的出光。 |





