一種高發(fā)光效率的氮化物發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910033337.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109755362B 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN109755362B 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H01L33/06（2010.01）I;H01L33/10（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 330000江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)高新二路18號(hào)創(chuàng)業(yè)大廈503、515室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高發(fā)光效率的氮化物發(fā)光二極管，包括襯底，以及依次位于襯底上的緩沖層、非摻雜氮化物層、n型氮化物層、有源層、電子阻擋層和p型氮化物層；其中：所述有源層是由若干個(gè)阱層和壘層交替堆疊而形成的多量子阱結(jié)構(gòu)，所述若干個(gè)為大于2的正整數(shù)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：通過將氮化物發(fā)光二極管有源層的壘層依照不同Si摻雜濃度，分為第一壘層、第二壘層和第三壘層，在第一壘層使用較低的Si摻雜以得到低的晶體表面粗糙度，實(shí)現(xiàn)對(duì)阱層的平整覆蓋，在第二壘層使用適中的Si摻雜以兼具高晶體質(zhì)量和低電阻值，而在第三壘層使用較高的Si摻雜以得到較多的應(yīng)力釋放，實(shí)現(xiàn)氮化物發(fā)光二極管的低操作電壓和高發(fā)光效率。