一種三狀態(tài)分子束外延用束源爐快門(mén)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011453051.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112746318A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112746318A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B23/02 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 杜鵬;龔欣;付宏偉;魏唯;陳峰武;王慧勇;肖慧;寧澍;陳長(zhǎng)平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 湖南兆弘專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 徐好 |
| 地址 | 410000 湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)岳麓西大道1698號(hào)麓谷科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園A1棟1-1023房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種三狀態(tài)分子束外延用束源爐快門(mén)，在具備束流開(kāi)啟與束流關(guān)斷兩種狀態(tài)的基礎(chǔ)上，新增第三種束源爐保護(hù)狀態(tài)，處于束源爐保護(hù)狀態(tài)的快門(mén)可以有效阻擋冷屏內(nèi)壁上吸附的材料碎片掉落入束源爐中，具有可以保護(hù)束源爐內(nèi)源料不受材料碎片污染、優(yōu)化外延薄膜質(zhì)量、同時(shí)有效提升蒸發(fā)束流的穩(wěn)定性和重復(fù)性、降低設(shè)備維護(hù)時(shí)間、提高設(shè)備生產(chǎn)效率等優(yōu)點(diǎn)。 |
