砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111205743.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113945442A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113945442A 申請公布日 2022-01-18
分類號 G01N1/32（2006.01）I;G01N21/95（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 王仁洲;鄭朝暉 申請（專利權(quán)）人 上海季豐電子股份有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉建榮
地址 201203上海市浦東新區(qū)祖沖之路1505弄55號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法和應(yīng)用，涉及砷化鎵芯片技術(shù)領(lǐng)域。該砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法，采用特定原料組成以及配比的液體混合物與砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)進行反應(yīng)，并通過控制反應(yīng)的時間以及溫度，從而實現(xiàn)對砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中塑封體以及基底的完全去除，同時也不會對晶粒產(chǎn)生損傷，實現(xiàn)晶粒的完整提取。本發(fā)明提供了上述砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法的應(yīng)用，鑒于上述方法所具有的優(yōu)勢，使得所提取的晶粒不會受到腐蝕以及損傷，保證了晶粒的完整，為研究砷化鎵芯片的失效分析提供了前提條件。本發(fā)明還提供一種砷化鎵芯片的失效分析方法。