兩步化學(xué)氣相沉積法生長稀氮化GaNSb納米線

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011291234.8 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114516658A 公開（公告）日 2022-05-20
申請公布號(hào) CN114516658A 申請公布日 2022-05-20
分類號(hào) C01G30/00（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 何頌賢;王巍;葉晨寶 申請（專利權(quán)）人 香港城市大學(xué)深圳研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518057廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)南區(qū)粵興一道8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種兩步化學(xué)氣相沉積法生長稀氮化GaNSb納米線。該方法包括：在雙區(qū)固相源化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的源區(qū)裝載銻化鎵、生長區(qū)裝載催化劑基片；向源區(qū)和生長區(qū)中通入氫氣，并分別加熱至第一預(yù)設(shè)溫度；源區(qū)的第一預(yù)設(shè)溫度高出生長區(qū)的第一預(yù)設(shè)溫度100～260℃；接著向源區(qū)和生長區(qū)中通入氨氣，并分別加熱至第二預(yù)設(shè)溫度；源區(qū)的第二預(yù)設(shè)溫度高出源區(qū)的第一預(yù)設(shè)溫度20～150℃；源區(qū)的第二預(yù)設(shè)溫度高出生長區(qū)的第二預(yù)設(shè)溫度220～320℃；待源區(qū)和生長區(qū)達(dá)到各自第二預(yù)設(shè)溫度后繼續(xù)保溫反應(yīng)，然后冷卻降溫，于生長區(qū)得到稀氮化GaNSb納米線。該方法合成稀氮化GaNSb納米線具有大縱橫比、高密度且表面光滑無島狀寄生。