一種生長CZT單晶錠的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110453520.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113512762A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113512762A 申請公布日 2021-10-19
分類號 C30B29/48（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I;C04B41/85（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 龐昊;謝雨凌 申請（專利權）人 合肥天曜新材料科技有限公司
代理機構 合肥正則元起專利代理事務所（普通合伙） 代理人 劉勇
地址 230000安徽省合肥市經濟技術開發(fā)區(qū)芙蓉路北芙蓉路合肥海恒投資控股集團公司3#-B廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種生長CZT單晶錠的方法，屬于半導體材料制造工藝技術領域，該種生長CZT單晶錠的方法，包括以下步驟：步驟A、將無定形無定形三氧化二硼和微米級石墨粉質量比混合形成混合漿料；步驟B、將混合漿料以刷漿法或脈沖電弧放電沉積法均勻涂覆在熱解氮化硼坩堝內壁上；步驟C、將碲化鋅多晶體合成料置于熱解氮化硼坩堝內放肩區(qū)，并在籽晶區(qū)放入籽晶，然后將熱解氮化硼坩堝放入石英容器內，加熱熔融、冷卻、CZT單晶錠生長，生長完成后獲得一種CZT單晶錠。且本發(fā)明將無定形三氧化二硼和石墨粉混合形成混合漿料涂覆在熱解氮化硼坩堝內壁上，使得生長平面和切割面的夾角小于4°，減小CZT襯底片上不同區(qū)域的Zn元素含量波動。