一種磷化銦單晶的生長(zhǎng)裝置及生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110870551.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113774489A 公開（公告）日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113774489A 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類號(hào) C30B29/40（2006.01）I;C30B13/14（2006.01）I;C30B13/28（2006.01）I;C30B13/32（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 龐昊;謝雨凌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥天曜新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吳桑
地址 230000安徽省合肥市經(jīng)開區(qū)芙蓉路合肥海恒投資控股集團(tuán)公司3#-B廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種磷化銦單晶的生長(zhǎng)裝置，包括固定加熱器、移動(dòng)加熱器、晶體生長(zhǎng)容器和電磁攪拌裝置，所述移動(dòng)加熱器和電磁攪拌裝置可在晶體生長(zhǎng)容器外移動(dòng)。本發(fā)明還提供一種磷化銦單晶的生長(zhǎng)方法，通過將原料放入到晶體生長(zhǎng)容器中并加熱到750℃，然后通過移動(dòng)加熱器加熱到1075℃，移動(dòng)移動(dòng)加熱器和電磁攪拌裝置至其鉛垂面離開晶體生長(zhǎng)容器，保溫并待爐溫降至室溫。本發(fā)明降低了Si污染，制得的單晶純度高；采用移動(dòng)加熱器的方法，避免移動(dòng)晶體生長(zhǎng)容器可能引起的振動(dòng)，能有效提高單晶率；通過雙加熱器的相對(duì)移動(dòng)實(shí)現(xiàn)溫場(chǎng)的移動(dòng)，溫場(chǎng)控制相對(duì)簡(jiǎn)單，控溫精度容錯(cuò)率高，便于維護(hù)和校準(zhǔn)。