一種碲鋅鎘單晶體的生長方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110446203.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113174626A 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN113174626A 申請公布日 2021-07-27
分類號 C30B11/00;C30B29/48 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 龐昊;謝雨凌 申請（專利權(quán)）人 合肥天曜新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王清
地址 230000 安徽省合肥市經(jīng)開區(qū)芙蓉路合肥海恒投資控股集團(tuán)公司3#-B廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碲鋅鎘單晶體的生長方法及裝置，包括以下制備步驟：將碲鋅鎘熔體放入坩堝內(nèi)；通過冷極棒使得生長界面的中心區(qū)域溫度處于一個(gè)相對較低的水平，通過熱極管避免了冷極棒的相對低溫在熔體內(nèi)部引發(fā)新的結(jié)晶；通過熱極管以及冷極棒與坩堝之間產(chǎn)生相對位移，實(shí)現(xiàn)人為干預(yù)生長界面處，熔體這一側(cè)的溫度，使其形成中心點(diǎn)略低的情況，能夠保證生長從中心開始往四周擴(kuò)展，同時(shí)用熱極管保持中心點(diǎn)以外的區(qū)域比中心點(diǎn)高，避免其他地方形核產(chǎn)生多晶。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)人為干預(yù)生長界面處，能夠保證生長從中心開始往四周擴(kuò)展，同時(shí)用熱極管保持中心點(diǎn)以外的區(qū)域比中心點(diǎn)高，避免其他地方形核產(chǎn)生多晶。