一種發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010211462.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111446335B 公開（公告）日 2021-12-14
申請公布號 CN111446335B 申請公布日 2021-12-14
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孟虎 申請（專利權）人 北京京東方技術開發(fā)有限公司
代理機構 北京同達信恒知識產權代理有限公司 代理人 劉紅彬
地址 100015北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及顯示技術領域，公開了一種發(fā)光二極管及其制備方法，制備方法包括：在襯底上形成陣列分布的發(fā)光二極管單元，沿背離襯底的方向，每個發(fā)光二極管單元包括緩沖層、n?GaN層、MQW層以及p?GaN層；在發(fā)光二極管單元上形成第一金屬層，且通過構圖工藝將第一金屬層圖案化，形成第一金屬圖案；以第一金屬圖案為掩膜，在p?GaN層部分區(qū)域內形成側壁限制結構。本發(fā)明提供的發(fā)光二極管制備方法制備的發(fā)光二極管在p?GaN層內局部位置形成側壁限制結構，側壁限制結構可以抑制側壁效應。上述發(fā)光二極管制備方法不僅可以在大尺寸發(fā)光二極管實現小電流注入、避免側壁效應，而且該制備方法可與現有半導體工藝兼容。