晶體管終端結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911140881.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111129108A 公開（公告）日 2020-05-08
申請公布號 CN111129108A 申請公布日 2020-05-08
分類號 H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曌;李杰;魏國棟;田甜;劉瑋 申請（專利權(quán)）人 深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
地址 518172 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶體管終端結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述終端結(jié)構(gòu)在平面上環(huán)狀包圍晶體管的有源區(qū)，所述終端結(jié)構(gòu)包括襯底、襯底上的截止環(huán)和襯底上的多個(gè)分壓環(huán)，各分壓環(huán)設(shè)于截止環(huán)與有源區(qū)和終端結(jié)構(gòu)的分界處的主結(jié)之間；其特征在于，還包括多個(gè)溝槽多晶硅場板，分布于最靠近所述主結(jié)的一分壓環(huán)與所述截止環(huán)之間的襯底中，每兩個(gè)相鄰的分壓環(huán)之間設(shè)置的溝槽多晶硅場板不超過一個(gè)。本發(fā)明通過溝槽多晶硅場板取代傳統(tǒng)的水平多晶硅場板方案，能夠在保證與傳統(tǒng)方案有同樣耐壓的前提下縮小了分壓環(huán)間距，從而能夠縮短終端結(jié)構(gòu)整體尺寸，體現(xiàn)了較好的終端性價(jià)比和經(jīng)濟(jì)性。