晶體管終端結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110313802.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113193036A | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
| 申請公布號 | CN113193036A | 申請公布日 | 2021-07-30 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張曌;李杰 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 虞凌霄 |
| 地址 | 518116廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路3號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種晶體管終端結(jié)構(gòu)及其制備方法,晶體管終端結(jié)構(gòu)優(yōu)化了該晶體管的主結(jié)的電場強(qiáng)度,提高晶體管器件的反壓值。同時(shí),晶體管終端結(jié)構(gòu)設(shè)置有多個(gè)溝槽,使多個(gè)終端浮空環(huán)的曲率半徑小于第一曲率半徑,在晶體管器件加壓時(shí)多個(gè)終端浮空環(huán)的電場強(qiáng)度分布較為均勻,不易發(fā)生擊穿,從而提升晶體管器件的反壓值。 |





