一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210126415.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114496903A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN114496903A 申請(qǐng)公布日 2022-05-13
分類號(hào) H01L21/762（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 嵇彤;葉甜春;朱紀(jì)軍;李彬鴻;羅軍;趙杰;許靜;許濱濱;王國(guó)慶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 澳芯集成電路技術(shù)（廣東）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 510535廣東省廣州市廣州開(kāi)發(fā)區(qū)開(kāi)源大道136號(hào)A棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制造方法，提供襯底結(jié)構(gòu)，襯底結(jié)構(gòu)包括硅襯底、硅襯底上的埋氧化層和埋氧化層上的半導(dǎo)體層，在襯底結(jié)構(gòu)中形成隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)至少貫穿半導(dǎo)體層，形成覆蓋半導(dǎo)體層和隔離結(jié)構(gòu)的覆蓋層，對(duì)覆蓋層、半導(dǎo)體層和埋氧化層進(jìn)行刻蝕得到刻蝕槽，刻蝕槽暴露硅襯底，刻蝕槽的側(cè)壁為隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，或刻蝕槽的側(cè)壁包括埋氧化層的側(cè)壁和隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，之后在刻蝕槽中選擇性外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體材料，以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，去除覆蓋層，隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和埋氧化層的側(cè)壁不為半導(dǎo)體材料，因此在選擇性外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體材料時(shí)，隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和埋氧化層的側(cè)壁不容易生長(zhǎng)，容易從硅襯底向上生長(zhǎng)質(zhì)量較好的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，降低工藝缺陷。