一種用于集成電路的接觸孔的蝕刻結(jié)構(gòu)和方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210077313.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114496913A | 公開（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114496913A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/768（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔡弦助;葉甜春;朱紀(jì)軍;李彬鴻;羅軍;趙杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 澳芯集成電路技術(shù)（廣東）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)香雪大道中85號(hào)1601-1607房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種用于集成電路的接觸孔的蝕刻結(jié)構(gòu)和方法，本發(fā)明的蝕刻結(jié)構(gòu)中的襯底的頂部從下往上依次設(shè)有第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層的側(cè)向蝕刻率小于第一介質(zhì)層的蝕刻率，在實(shí)際蝕刻時(shí)，由于第二介質(zhì)層的蝕刻速率大于第一介質(zhì)層的蝕刻速率，可以讓第二介質(zhì)層獲得更好的抗蝕刻效益，進(jìn)而可以有效地將側(cè)向蝕刻的行為改善，避免接觸孔在蝕刻時(shí)出現(xiàn)碗型輪廓的情況。 |
