半導體結構及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810041005.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110047741B 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN110047741B 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L21/28;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張城龍;涂武濤;紀世良 申請（專利權）人 中芯國際集成電路新技術研發(fā)（上海）有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體結構及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供襯底，所述襯底上具有柵極結構和介質層，所述柵極結構側壁表面具有側墻，所述介質層覆蓋所述側墻側壁，且暴露出所述柵極結構頂部；去除部分側墻，暴露出部分柵極結構側壁，在所述介質層和柵極結構之間形成第一開口；去除部分側墻之后，去除部分柵極結構，在所述介質層中形成被第一開口包圍的第二開口；去除部分柵極結構之后，在所述第一開口和第二開口中形成隔離層。所述形成方法能夠增加隔離層的隔離性能，改善半導體結構性能。