半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710734685.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109427677B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN109427677B 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉繼全 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有柵極層，柵極層內(nèi)具有雜質(zhì)離子，柵極層兩側(cè)的基底內(nèi)具有源漏摻雜區(qū)，基底、源漏摻雜區(qū)和柵極層上具有介質(zhì)層；去除源漏摻雜區(qū)上的部分介質(zhì)層，直至暴露出源漏摻雜區(qū)，在介質(zhì)層內(nèi)形成源漏接觸孔；去除柵極層上的部分介質(zhì)層，直至暴露出柵極層，在介質(zhì)層內(nèi)形成柵極接觸孔；在柵極接觸孔底部形成阻擋層；在阻擋層上和源漏接觸孔底部形成金屬層；進(jìn)行退火處理，使所述金屬層與源漏接觸孔底部的源漏摻雜區(qū)材料反應(yīng)，在源漏接觸孔底部形成金屬硅化物層。所述方法形成的器件的接觸電阻較小。