TOF-SIMS質(zhì)譜深度分析半導(dǎo)體小芯片多層膜端面樣品的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110662425.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113390948A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113390948A 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) G01N27/62（2021.01）I;G01N1/28（2006.01）I;G01N1/36（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 朱雷;石凱琳;李珮琳;華佑南;李曉旻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 勝科納米（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京崇智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙麗娜
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)9棟507室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及材料樣品檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及TOF?SIMS質(zhì)譜深度分析半導(dǎo)體小芯片多層膜端面樣品的制備方法，包括以下步驟：以所述待測(cè)樣品的待測(cè)面朝上的方式將所述待測(cè)樣品夾入軟質(zhì)金屬片中固定，所述待測(cè)樣品的待測(cè)面與所述軟質(zhì)金屬片的頂端齊平；夾入軟質(zhì)金屬片中的待測(cè)樣品放入基線金屬塊之間，所述基線金屬塊處于上下面平行狀態(tài)，所述軟質(zhì)金屬片的頂端與所述基線金屬塊的頂端齊平，然后進(jìn)行TOF?SIMS檢測(cè)。本發(fā)明提供的TOF?SIMS質(zhì)譜深度分析半導(dǎo)體小芯片多層膜端面樣品的制備方法，解決了小尺寸樣品在TOF?SIMS檢測(cè)難以成功的問(wèn)題，有效提高了制樣的準(zhǔn)確度和精度，并且制樣過(guò)程時(shí)間縮短，制樣成功率高。